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医学免疫学/免疫记忆
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{{Hierarchy header}} 用同一[[抗原]]再次免疫时,可引起比初次更强的[[抗体]]产生,称之为[[再次免疫应答]]或[[免疫记忆]],无论在[[体液免疫]]或[[细胞免疫]]均可发生免疫记忆现象。在体液免疫时,对TD抗原的再次应答可表现为[[抗体滴度]]明显上升,[[免疫球蛋白类别]]可由[[IgM]]转换为[[IgG]],而且抗体亲和力增强。提示再次应答不仅发生抗体量的变化,而且也发生了质的变化。实验证明,免疫记忆的基础是免疫记忆[[细胞]]的产生。 '''一、免疫记忆细胞''' 在载体-[[半抗原]]效应的研究中,已证明T细胞及B细胞都与免疫记忆有关。即在[[免疫应答]]过程中,既能产生B[[记忆细胞]](Bm),也能产生TH记忆(THm)。免疫记忆现象可以解释为对特异抗原应答的[[淋巴细胞]]数量增加的现象。 用有限稀释法计数在载体-半抗原效应中免疫记忆细胞的数量变化,发现在T细胞群中对载体特异的T细胞辅助活性比初次应答可增强10倍。这不仅是由于TH细胞数量的增加,也反映了TH功能的增强所致。 有相同方法也证明了在再次应答中对半抗原特异的细胞数量亦增加,由其产生抗体性质的变化,表明B记忆细胞也伴随有质的变化。关于前进B细胞(Bp)、成熟B细胞(Bv)、记忆B细胞(Bm)的特性可见表11-8。 表11-8 Bp、Bv、Bm细胞的特性 {| class="wikitable" |- | | | | Bp | | Bv | | Bm |- | | 更新速率 | | 快(数日) | | 快(数日) | | 慢(数月~数周) |- | | [[再循环]] | | 无 | | 无 | | 有 |- | | 组织分布 | | | | | | |- | | [[胚胎]]期 | | 肝、脾 | | - | | - |- | | [[成年期]] | | [[骨髓]] | | 骨髓、脾、[[淋巴]]节 | | [[胸导管]]、脾、[[淋巴结]] |- | | [[耐受性]]产生 | | 易 | | 难 | | 难 |- | | 对抗原亲和力 | | - | | 低 | | 高 |- | | 过继抗体产生 | | 慢(2~3周) | | 快(1~3周) | | 快(1周) |- | | 电泳迁移率 | | - | | 快 | | 慢 |} '''二、免疫球蛋白类别的转换''' 在初次应答时开始出现的抗体是IgM,当达到高峰时才开始出现IgG,而IgG高峰虽出现较晚,但能维持较长时间。在再次应答时产生IgG的[[潜伏期]]明显缩短,水平更高。 这种由IgM转换为IgG只是Ig[[分子]]的类别变化,其识别抗原的特异性则仍相同。表明这二类Ig分子V区结构相同,只是C区结构发生了变化。实验证明,给新生小鼠注入抗μ[[血清]],可抑制IgG和IgM的产生,提示这种转换可能是由产生IgM的细胞变为产生IgG的细胞,而不是由不同[[亚群]]的B细胞产生的。 '''三、抗体亲和力的变化''' 在抗体生成过程中,抗体分子的平均亲和力随着时间的延长而增加,这种现象称为抗体分子亲和力的成熟。实验证明,在免疫应答过程中,IgG的亲和力可增加达数百倍。这种亲和力的成熟现象,被认为是由于存在具有不同亲和力Ig[[受体]]的B细胞。在免疫应答初期可因存在较大量的游离抗原分子,因此与低亲和力受体的B细胞结合较多,故其所产生抗体分子的平均亲和力较低。当抗原量逐渐减少时,则与带有高亲和力受体细胞的结合多于低亲和力受体细胞,因之抗体分子的平均亲和力随时延长而增高。 ==参看== *[[免疫记忆]] {{Hierarchy footer}} {{医学免疫学图书专题}}
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