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抑制性突触后电位
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[[抑制性突触后电位]](Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)是[[突触前膜]]释放抑制性[[递质]](抑制性[[中间神经元]]释放的递质),导致[[突触后膜]]主要对Cl-通透性增加,Cl-内[[流产]]生局部[[超极化]][[电位]]。 特点:(1)突触前膜释放递质是Ca2+内流引发的;(2)递质是以[[囊泡]]的形式以[[出胞]]作用的方式释放出来的;(3)IPSP是局部电位,而不是[[动作电位]];(4)IPSP是突触后膜离子通透性变化所致,与突触前膜无关。 [[分类:生理学]][[分类:神经学]]
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抑制性突触后电位
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